Der Inlens-Detektor befindet sich senkrecht zur Probenoberfläche im Strahlengang. Dies bedingt, dass er nur bei "niedrigen" Spannungen von ≤ 20 kV effizient eingesetzt werden kann. In diesem Bereich weist er durch die Saugwirkung eines Beam Boosters eine sehr hohe Ausbeute an Elektronen auf. Dies ermöglicht schnellere bzw. schonendere Bilder als mit anderen Detektoren. Seine nahezu reine Detektion von Sekundärelektronen ermöglicht sehr oberflächennahe Bilder, die nur wenig Informationen aus dem Untergrund enthalten.
Auch wenn der Name es nicht vermuten läßt, so erfaßt der SE2-Detektor neben den Sekundär (SE)- auch Rückstreuelektronen. Im Vergleich zu dem Inlensdetektor stammen die Bildinformationen daher aus einer größeren gemittelten Materialtiefe. Der SE2-Detektor hebt sich ganz besonders durch seine Positionierung von anderen Detekoren ab. Durch seine seitliche Montage an der Probenkammerwand vermittelt er wesentlich besser topografische Informationen als andere Detektoren. Die dadurch geringere Ausbeute an Elektronen kann durch Kippung der Probe kompensiert werden.
Um den Anforderungen von strahlungsempfindlichen Proben als auch den Anforderungen von Röntgen-analytischen Untersuchungen gerecht zu werden, ermöglicht das Gerät NEON® 40 der Firma Zeiss viele Einstellungsmöglichkeiten. Geringere Spannungen (0,1 - 5 kV) ermöglichen besonders oberflächennahe, schonende Betrachtungen. Für analytische Zwecke kann die Beschleunigungsspannung jedoch auf bis zu 30 kV gesteigert werden. Unterschiedliche Blenden, Abtastmethoden und eine zusätzliche Ansteuerungsmethode der Elektronenoptik (High Current Modus) ermöglichen zusätzlich unterschiedliche Intensitäten.
Neben der reinen Betrachtung der Oberfläche dienen verschiedene Probenpräparationsmöglichkeiten dem Blick in die Probe hinein. Hier wären vor allem der Kryobruch, der Querschliff, und natürlich die FIB-Technik zu nennen.
Spezifikationen | NEON® 40 |
REM Auflösung | 1,1 nm @ 20 kV 2,5 nm @ 1 kV |
REM Probenstrom | 4 pA - 20 nA |
REM Beschleunigungsspannung | 0,1 - 30 kV |
REM Emitter | Schottky Feldemitter |
Tab 1 REM-spezifische Eigenschaften




Das Eindringvolumen, in dem die Röntgenstrahlung entsteht, wird als Anregungsbirne bezeichnet (s.o. Abb 2). Die Eindringtiefe liegt je nach gewählter Anregungsspannung und Dichte der zu untersuchenden Probe, bei ca. 1 µm. Ein Absenken auf wesentlich kleinere Werte ist aufwendig bis physikalisch unmöglich.
Es stehen verschiedene Erfassungsmethoden zur Möglichkeit:
- Spektrum: Der im REM-Bild sichtbare Bereich wird zur Ermittlung des Spektrums genutzt (Abb 9 a). Ein Zugriff auf die Rohdaten ist möglich. Dadurch lassen sich die Daten auch in Tabellenkalkulationsprogramme einbinden. Grafiken im eigenen Format sind daher möglich (Abb 9 b).
- Point & Shoot: Im Point & Shoot-Modus lassen sich Spektren erstellen, dessen Bereiche innerhalb des REM-Bildes frei wählbar sind. Neben der Vorgabe eines "Punktes" (Ausdehnung entspricht der Anregungsbirne), sind auch Kreise, Rechtecke und Polygone jeglicher Art möglich (natürlich unter Berücksichtigung der Anregungsbirne).
- Linescan: Mit einem Linescan kann die Verteilung der Elemente entlang einer Linie grafisch dargestellt werden (Abb 10).
- Mapping/Spectral Imaging: Das Mapping ermöglicht eine sehr anschauliche Übersicht der Elementverteilungen. Die Farben sind frei wählbar und können das Graubild überlagern (Abb 11). Übersichtlicher und detailreicher ist jedoch die Darstellung in separaten Grafiken (Abb 12). Hinter jedem Pixel der Verteilungsbilder liegen Einzelspektren, die nachträglich ausgewertet werden können (Spectral Imaging). So können neben den Verteilungsbildern nach Counts auch welche nach Gewichts- oder Atomprozent ausgewertet werden. Zudem ermöglicht dies die nachträgliche Extraktion von Spektren und LineScans. Sowohl Spektren, Linescans, als auch Verteilungs-Bilder können grafisch als auch auf Datenebene exportiert und gespeichert werden. Dies ermöglicht eine Weiterverarbeitung der Daten in externen Programmen.